Биполярный транзистор MJD112 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJD112
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000
Корпус транзистора: TO251
Аналог (замена) для MJD112
MJD112 Datasheet (PDF)
mjd112 mjd117.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJD112/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD112Complementary DarlingtonPNPMJD117*Power TransistorsDPAK For Surface Mount Applications*Motorola Preferred DeviceDesigned for general purpose power and switching such as output or driver stagesSILICONin applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.POWER TRANS
mjd112 mjd117.pdf

MJD112MJD117COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4)3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP112 AND1TIP117APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIERTO-252(Suffix
mjd112.pdf

November 2006MJD112tmNPN Silicon Darlington TransistorFeatures High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Equivalent CircuitCBD-PAK1R1 R2 1.Base 2.Collector 3.EmitterER1 10kR2 0.6kAbsolute Maximum Ratings* Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VC
mjd112 mjd117.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCOMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS MJD112 NPNMJD117 PNPDPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Power and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBO 100Collector Base Voltage VVCEO 100Collector Emitter Voltage VE
Другие транзисторы... MJ8503 , MJ8504 , MJ8505 , MJ900 , MJ9000 , MJ901 , MJ920 , MJ921 , 2222A , MJD112-1 , MJD112T4 , MJD117 , MJD117-1 , MJD117T4 , MJD122 , MJD122-1 , MJD122T4 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent