MJD13003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJD13003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для MJD13003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD13003 даташит

 ..1. Size:591K  cdil
 mjd13003.pdf pdf_icon

MJD13003

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR MJD13003 DPAK (TO-252) Plastic Package Designed for High Voltage, High Speed Power Switching Inductive Circuits Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 400 V Collector Emitter Voltage VCEV 700 V Emit

 ..2. Size:767K  kexin
 mjd13003.pdf pdf_icon

MJD13003

SMD Type Transistors NPN Transistors MJD13003 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=1.5A Collector Emitter Voltage VCEO=400V 0.42 0.1 0.46 0.1 Power Switching Applications 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 700 Collector - Emitter Voltage VCEO 400 V Emi

 ..3. Size:235K  inchange semiconductor
 mjd13003.pdf pdf_icon

MJD13003

isc Silicon NPN Power Transistor MJD13003 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 400V(Min.) CEO(SUS) Collector Saturation Voltage V = 1.0(Max) @ I = 1.0A CE(sat) C APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit, they are particularly suited for 115 and 220V switchmode applications such as switching regulato

 7.1. Size:1188K  kexin
 mjd13001.pdf pdf_icon

MJD13003

SMD Type Transistors NPN Transistors MJD13001 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Power switching applications 1 2 +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 700 Collector - Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter - Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD117-1, MJD117T4, MJD122, MJD122-1, MJD122T4, MJD127, MJD127-1, MJD127T4, 431, MJD148, MJD200, MJD200-1, MJD210, MJD210-1, MJD210T4, MJD243, MJD243-1