MJD200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJD200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для MJD200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD200 даташит

 ..1. Size:48K  st
 mjd200 mjd210.pdf pdf_icon

MJD200

MJD200 MJD210 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4) APPLICATIONS 3 AUDIO AMPLIFIERS 1 DESCRIPTION The MJD200 is an Epitaxial-Base NPN transistor designed for low voltage, low power, high gain, DPAK audio amplifier applications. TO-252 Th

 ..2. Size:142K  onsemi
 njvmjd210 mjd200.pdf pdf_icon

MJD200

MJD200 (NPN), MJD210 (PNP) Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface http //onsemi.com Mount Applications Designed for low voltage, low-power, high-gain audio SILICON amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features 5 AMPERES High DC Current Gain 25 VOLTS, 12.5 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix

 ..3. Size:242K  onsemi
 mjd200 mjd210.pdf pdf_icon

MJD200

Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications MJD200 (NPN), MJD210 (PNP) www.onsemi.com Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. SILICON POWER TRANSISTORS Features High DC Current Gain 5 AMPERES Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves 25 VOLTS, 12.5 WATTS (No Suffix)

 ..4. Size:207K  inchange semiconductor
 mjd200.pdf pdf_icon

MJD200

isc Silicon NPN Power Transistor MJD200 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 70(Min) @ I = 0.5A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 0.3V(Max.)@ I = 0.5 A CE(sat) C Complement to the PNP MJD210 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD122, MJD122-1, MJD122T4, MJD127, MJD127-1, MJD127T4, MJD13003, MJD148, TIP32C, MJD200-1, MJD210, MJD210-1, MJD210T4, MJD243, MJD243-1, MJD243T4, MJD2955