MJD200-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJD200-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для MJD200-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD200-1 даташит

 8.1. Size:236K  motorola
 mjd200re mjd210.pdf pdf_icon

MJD200-1

Order this document MOTOROLA by MJD200/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJD200 Complementary PNP Plastic Power Transistors MJD210 NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. SILICON POWER TRANSISTORS Collector Emitter Sustaining Voltage 5 AMPERES VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @

 8.2. Size:48K  st
 mjd200 mjd210.pdf pdf_icon

MJD200-1

MJD200 MJD210 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4) APPLICATIONS 3 AUDIO AMPLIFIERS 1 DESCRIPTION The MJD200 is an Epitaxial-Base NPN transistor designed for low voltage, low power, high gain, DPAK audio amplifier applications. TO-252 Th

 8.3. Size:183K  onsemi
 mjd200rlg.pdf pdf_icon

MJD200-1

MJD200 (NPN), MJD210, NJVMJD210T4G (PNP) Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface http //onsemi.com Mount Applications Designed for low voltage, low-power, high-gain audio SILICON amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features 5 AMPERES Collector-Emitter Sustaining Voltage - 25 VOLTS, 12.5 WATTS VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

 8.4. Size:183K  onsemi
 mjd200g.pdf pdf_icon

MJD200-1

MJD200 (NPN), MJD210, NJVMJD210T4G (PNP) Complementary Plastic Power Transistors NPN/PNP Silicon DPAK For Surface http //onsemi.com Mount Applications Designed for low voltage, low-power, high-gain audio SILICON amplifier applications. POWER TRANSISTORS Features 5 AMPERES Collector-Emitter Sustaining Voltage - 25 VOLTS, 12.5 WATTS VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD122-1, MJD122T4, MJD127, MJD127-1, MJD127T4, MJD13003, MJD148, MJD200, MJE350, MJD210, MJD210-1, MJD210T4, MJD243, MJD243-1, MJD243T4, MJD2955, MJD2955-1