2N1105. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1105

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1105

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1105 даташит

 9.1. Size:361K  rca
 2n1100.pdf pdf_icon

2N1105

Другие транзисторы: 2N1098, 2N1099, 2N110, 2N1100, 2N1101, 2N1102, 2N1103, 2N1104, BD139, 2N1106, 2N1107, 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N1110, 2N1111, 2N1111A