Биполярный транзистор 2N1105 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1105
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N1098 , 2N1099 , 2N110 , 2N1100 , 2N1101 , 2N1102 , 2N1103 , 2N1104 , C1815 , 2N1106 , 2N1107 , 2N1108 , 2N1109 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050