MJD50-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJD50-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для MJD50-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD50-1 даташит

 9.1. Size:184K  motorola
 mjd47 mjd50.pdf pdf_icon

MJD50-1

Order this document MOTOROLA by MJD47/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJD47* MJD50* High Voltage Power Transistors *Motorola Preferred Device DPAK For Surface Mount Applications NPN SILICON Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers POWER TRANSISTORS and other switching applications. 1 AMPERE Lead Formed for Surface Mount Applications in

 9.2. Size:98K  st
 mjd50.pdf pdf_icon

MJD50-1

MJD50 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4 ) ELECTRICAL SIMILAR TO TIP50 3 APPLICATIONS SWITCH MODE POWER SUPPLIES 1 AUDIO AMPLIFIERS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND DPAK AMPLIFIER TO-252 (Suffix T4 ) DESCRIPTION The MJD50

 9.3. Size:44K  fairchild semi
 mjd47 mjd50.pdf pdf_icon

MJD50-1

MJD47/50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50 D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

 9.4. Size:79K  onsemi
 njvmjd47t4g njvmjd50t4g.pdf pdf_icon

MJD50-1

MJD47, NJVMJD47T4G, MJD50, NJVMJD50T4G High Voltage Power Transistors DPAK for Surface Mount Applications http //onsemi.com Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply drivers and other switching applications. NPN SILICON POWER Features TRANSISTORS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves 1 AMPERE (No Suffix) 250, 400 VOLTS, 15 WAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD44H11T4, MJD45H11, MJD45H11-1, MJD45H11T4, MJD47, MJD47-1, MJD47T4, MJD50, S8550, MJD50T4, MJD5731, MJD6036, MJD6036-1, MJD6036T4, MJD6039, MJD6039-1, MJD6039T4