Справочник транзисторов. MJE2361T

 

Биполярный транзистор MJE2361T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJE2361T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 375 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для MJE2361T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE2361T Datasheet (PDF)

 8.1. Size:98K  motorola
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2361T

Order this documentMOTOROLAby MJE2360T/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE2360TMJE2361TNPN Silicon High-VoltageTransistor0.5 AMPEREPOWER TRANSISTORS. . . useful for generalpurpose, high voltage applications requiring high fT.NPN SILICON CollectorEmitter Sustaining Voltage 350 VOLTSVCEO(sus) = 350 Vdc (Min) @ IC = 2.5 mAdc30 WATTS DC Current Gain

 8.2. Size:215K  inchange semiconductor
 mje2360t.pdf pdf_icon

MJE2361T

isc Silicon NPN Power Transistor MJE2360TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 350 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 25(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.)@ I = 100mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low power audio amplifier

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: NB012EL | 2SC1915 | 2SC1859-2 | NB211YG | BC198B | TIPL761C | BC179A

 

 
Back to Top

 


 
.