MJE2801 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE2801

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для MJE2801

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE2801 даташит

 0.1. Size:209K  inchange semiconductor
 mje2801t.pdf pdf_icon

MJE2801

isc Silicon NPN Power Transistor MJE2801T DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 25-100@I = 3A FE C Complement to Type MJE2901T Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers up to 35 watts mus

Другие транзисторы: MJE2520, MJE2521, MJE2522, MJE2523, MJE253, MJE254, MJE270, MJE271, C3198, MJE2801K, MJE2801T, MJE29, MJE2901, MJE2901K, MJE2901T, MJE2955, MJE2955K