Биполярный транзистор MJE3738 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE3738
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 225 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MJE3738 Datasheet (PDF)
mje371re.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJE371/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE371Plastic Medium-Power PNP4 AMPERESilicon TransistorsPOWER TRANSISTORPNP SILICON. . . designed for use in generalpurpose amplifier and switching circuits. Recom-40 VOLTSmended for use in 5 to 20 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry40 WATTScircuitry. DC Current Gain hFE
mje371 mje521.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
mje371g.pdf

MJE371GPlastic Medium-PowerPNP Silicon TransistorThis device is designed for use in general-purpose amplifier andswitching circuits. Recommended for use in 5 to 20 Watt audioamplifiers utilizing complementary symmetry circuitry.http://onsemi.comFeatures High DC Current Gain4 AMPERES MJE371 is Complementary to NPN MJE521POWER TRANSISTOR These Devices are Pb-Free
mje371-d.pdf

MJE371Plastic Medium-PowerPNP Silicon TransistorThis device is designed for use in general-purpose amplifier andswitching circuits. Recommended for use in 5 to 20 Watt audioamplifiers utilizing complementary symmetry circuitry.http://onsemi.comFeatures DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC4 AMPERES= 1.0 AdcPOWER TRANSISTOR MJE371 is Complementary to NPN MJE521PNP
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050