MJE52. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE52

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для MJE52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE52 даташит

 0.1. Size:128K  motorola
 mje521 mje521re.pdf pdf_icon

MJE52

Order this document MOTOROLA by MJE521/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJE521 Plastic Medium-Power NPN 4 AMPERE Silicon Transistor POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . designed for use in general purpose amplifier and switching circuits. Recom- 40 VOLTS mended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry 40 WATTS circuitry. DC Current Gain hFE

 0.2. Size:44K  st
 mje521.pdf pdf_icon

MJE52

MJE521 SILICON NPN TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The MJE521 is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is intended for use in 5 to 20W audio amplifiers, general purpose amplifier and switching circuits. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 0.3. Size:65K  central
 mje371 mje521.pdf pdf_icon

MJE52

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.4. Size:62K  onsemi
 mje521-d.pdf pdf_icon

MJE52

MJE521 Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor These devices are designed for use in general-purpose amplifier and switching circuits. Recommended for use in 5 to 10 Watt audio amplifiers utilizing complementary symmetry circuitry. http //onsemi.com Features DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC 4 AMPERES = 1.0 Adc POWER TRANSISTORS Complementary to PNP MJE371 NPN SILIC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE5191, MJE5191J, MJE5192, MJE5192J, MJE5193, MJE5194, MJE5195, MJE51T, D209L, MJE520, MJE520K, MJE521, MJE521K, MJE52T, MJE53, MJE53T, MJE5420Z