Справочник транзисторов. MJW16012

 

Биполярный транзистор MJW16012 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJW16012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для MJW16012

 

 

MJW16012 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:362K  motorola
mjw16010.pdf

MJW16012
MJW16012

Order this documentMOTOROLAby MJW16010A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJW16010A*Designer's Data Sheet*Motorola Preferred DeviceNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORS1 kV SWITCHMODE Series15 AMPERES500 VOLTSThese transistors are designed for highvoltage, highspeed, power switching in125 AND 175 WATTSinductive circuits where fall time is critical. The

 7.2. Size:220K  inchange semiconductor
mjw16010.pdf

MJW16012
MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min)CEO(SUS)Wide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage, high-speed,power switching ininductive circuits where fall time is critica

 7.3. Size:219K  inchange semiconductor
mjw16010a.pdf

MJW16012
MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010ADESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V(Min)CEO(SUS)Wide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage, high-speed,power switching ininductive circuits where fall time is critic

 7.4. Size:220K  inchange semiconductor
mjw16018.pdf

MJW16012
MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16018DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critical. They are partic-ularly suited for lin

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top