MJW16012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJW16012

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для MJW16012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW16012 даташит

 7.1. Size:362K  motorola
 mjw16010.pdf pdf_icon

MJW16012

Order this document MOTOROLA by MJW16010A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJW16010A * Designer's Data Sheet *Motorola Preferred Device NPN Silicon Power Transistors POWER TRANSISTORS 1 kV SWITCHMODE Series 15 AMPERES 500 VOLTS These transistors are designed for high voltage, high speed, power switching in 125 AND 175 WATTS inductive circuits where fall time is critical. The

 7.2. Size:220K  inchange semiconductor
 mjw16010.pdf pdf_icon

MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min) CEO(SUS) Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage, high-speed,power switching in inductive circuits where fall time is critica

 7.3. Size:219K  inchange semiconductor
 mjw16010a.pdf pdf_icon

MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 500V(Min) CEO(SUS) Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage, high-speed,power switching in inductive circuits where fall time is critic

 7.4. Size:220K  inchange semiconductor
 mjw16018.pdf pdf_icon

MJW16012

isc Silicon NPN Power Transistor MJW16018 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 800V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time is critical. They are partic- ularly suited for lin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJH6282, MJH6283, MJH6284, MJH6285, MJH6286, MJH6287, MJW16010, MJW16010A, BC547B, MJW16018, MJW16110, MJW16206, MJW16210, MJW16212, MM1008, MM1139, MM1151