Биполярный транзистор MJW16018 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJW16018
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 450 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Корпус транзистора: TO247
MJW16018 Datasheet (PDF)
mjw16018.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJW16018DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage ,high-speed, power switching ininductive circuits where fall time is critical. They are partic-ularly suited for lin
mjw16010.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJW16010A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJW16010A*Designer's Data Sheet*Motorola Preferred DeviceNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORS1 kV SWITCHMODE Series15 AMPERES500 VOLTSThese transistors are designed for highvoltage, highspeed, power switching in125 AND 175 WATTSinductive circuits where fall time is critical. The
mjw16010.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min)CEO(SUS)Wide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage, high-speed,power switching ininductive circuits where fall time is critica
mjw16010a.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJW16010ADESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500V(Min)CEO(SUS)Wide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-voltage, high-speed,power switching ininductive circuits where fall time is critic
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: FMMTA42
History: FMMTA42
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050