Биполярный транзистор 2N4350 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N4350
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO5
2N4350 Datasheet (PDF)
2n4352.pdf
P-Channel Enhancement ModeMOSFET Amplifier/SwitchCORPORATION2N4352FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise noted)A Low ON Resistance Low Capacitance Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V High Gain Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V P-Chann
2n4351.pdf
2N4351 N-CHANNEL MOSFET Linear Integrated Systems ENHANCEMENT MODE FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA TO-72HIGH GAIN gfs = 1000S BOTTOM VIEWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 @ 25 C (unless otherwise stated) G 2 3 DMaximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 C Operating Junction Temperature -55 to +150 C 1 4S
Другие транзисторы... 2N4315 , 2N432 , 2N433 , 2N434 , 2N4346 , 2N4347 , 2N4348 , 2N4349 , 2SC5200 , 2N4354 , 2N4355 , 2N4356 , 2N4357 , 2N4358 , 2N4359 , 2N438 , 2N4383 .
