Справочник транзисторов. MM1501

 

Биполярный транзистор MM1501 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MM1501
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Корпус транзистора: TO107
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MM1501 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:206K  ixys
 vmm1500-0075x2.pdf pdf_icon

MM1501

VMM 1500-0075X2VDSS = 75 VDual PowerID25 = 1560 AMOSFET ModuleRDS(on) = 0.38 mPhaseleg Configuration113103291889 111102FeaturesMOSFET T1 + T2 Trench MOSFETsSymbol Conditions Maximum Ratings - low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - optimized intrinsic reverse diodeVGS 20 V package - low inductive current pathID25 TC = 2

 9.2. Size:179K  ixys
 fmm150-0075x2f.pdf pdf_icon

MM1501

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFET VDSS = 75VFMM150-0075X2FN-Channel Power ID25 = 120A MOSFET RDS(on) 5.8m 33T1trr(typ) = 66ns5544T211Phase Leg TopologyISOPLUS i4-PakTM22Symbol Test Conditions Maximum RatingsTJ -55 ... +175 C 1TJM 175 CIsolated TabTstg -55 ... +175 C5VISOL 50/60HZ, RMS, t

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.