MM1501A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM1501A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Корпус транзистора: TO107

 Аналоги (замена) для MM1501A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM1501A даташит

 9.1. Size:206K  ixys
 vmm1500-0075x2.pdf pdf_icon

MM1501A

VMM 1500-0075X2 VDSS = 75 V Dual Power ID25 = 1560 A MOSFET Module RDS(on) = 0.38 m Phaseleg Configuration 11 3 10 3 2 9 1 8 8 9 1 11 10 2 Features MOSFET T1 + T2 Trench MOSFETs Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 75 V - optimized intrinsic reverse diode VGS 20 V package - low inductive current path ID25 TC = 2

 9.2. Size:179K  ixys
 fmm150-0075x2f.pdf pdf_icon

MM1501A

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFET VDSS = 75V FMM150-0075X2F N-Channel Power ID25 = 120A MOSFET RDS(on) 5.8m 3 3 T1 trr(typ) = 66ns 5 5 4 4 T2 1 1 Phase Leg Topology ISOPLUS i4-PakTM 2 2 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ -55 ... +175 C 1 TJM 175 C Isolated Tab Tstg -55 ... +175 C 5 VISOL 50/60HZ, RMS, t

Другие транзисторы: MM1162, MM1163, MM1164, MM1461, MM1462, MM1500, MM1500A, MM1501, BD139, MM1505, MM1510, MM1511, MM1549, MM1550, MM1551, MM1553, MM1557