MM1619. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MM1619

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 48 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: X28

 Аналоги (замена) для MM1619

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MM1619 даташит

 9.1. Size:483K  way-on
 wmm161n15t2.pdf pdf_icon

MM1619

WMM161N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM161N15T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features G S V =150V, I = 161A DS D TO-263 R

Другие транзисторы: MM1601, MM1602, MM1603, MM1605, MM1606, MM1607, MM1613, MM1614, D882, MM1620, MM1711, MM1712, MM1736, MM1737, MM1738, MM1739, MM1748