2N1110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1110

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO22

 Аналоги (замена) для 2N1110

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1110 даташит

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1110

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы: 2N1103, 2N1104, 2N1105, 2N1106, 2N1107, 2N1108, 2N1109, 2N111, 2N5401, 2N1111, 2N1111A, 2N1111B, 2N1114, 2N1115, 2N1115A, 2N1116, 2N1117