Справочник транзисторов. MMBR4957LT3

 

Биполярный транзистор MMBR4957LT3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBR4957LT3
   Маркировка: 7F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.278 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBR4957LT3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR4957LT3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:66K  motorola
 mmbr4957.pdf pdf_icon

MMBR4957LT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR4957LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR4957LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for highgain, lownoise amplifier oscillator and mixer applica-tions. Specifically packaged for thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHzIC = 30 mA

Другие транзисторы... MMBC1653N4 , MMBC1654N5 , MMBC1654N6 , MMBC1654N7 , MMBR2060 , MMBR2857 , MMBR4957 , MMBR4957LT1 , A1015 , MMBR5031 , MMBR5031LT1 , MMBR5179 , MMBR5179LT1 , MMBR521LT1 , MMBR536 , MMBR571LT1 , MMBR901 .

 

 
Back to Top

 


 
.