Справочник транзисторов. MMBR4957LT3

 

Биполярный транзистор MMBR4957LT3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBR4957LT3
   Маркировка: 7F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.278 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR4957LT3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:66K  motorola
 mmbr4957.pdf pdf_icon

MMBR4957LT3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR4957LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR4957LT1, T3High-Frequency Transistor. . . designed for highgain, lownoise amplifier oscillator and mixer applica-tions. Specifically packaged for thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHzIC = 30 mA

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC532 | FA1L3Z-L38 | DNLS350 | RCA29C | ZT1482 | BTNA14N3

 

 
Back to Top

 


 
.