MMBR5031LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBR5031LT1  📄📄 

Маркировка: 7G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBR5031LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR5031LT1 даташит

 6.1. Size:54K  motorola
 mmbr5031.pdf pdf_icon

MMBR5031LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR5031LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR5031LT1 High-Frequency Transistor Designed for thick and thin film circuits using surface mount components and requiring low noise, high gain signal amplification at frequencies to 1.0 GHz. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHz Low Noise NF = 2.5 dB Typ @ f

 9.1. Size:55K  motorola
 mmbr5179.pdf pdf_icon

MMBR5031LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR5179LT1/D The RF Line NPN Silicon MMBR5179LT1 High-Frequency Transistor Designed for small signal amplification at frequencies to 500 MHz. Specifically packaged for use in thick and thin film circuits using surface mount components. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 200 MHz Low Noise NF = 4.5 dB Typ @

 9.2. Size:358K  motorola
 mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf pdf_icon

MMBR5031LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR571LT1/D The RF Line MMBR571LT1 NPN Silicon MPS571 MRF571 High-Frequency Transistors MRF5711LT1 Designed for low noise, wide dynamic range front end amplifiers and low noise VCO s. Available in a surface mountable plastic package, as well as the popular TO 226AA (TO 92) package. This Motorola series of smal

 9.3. Size:151K  motorola
 mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf pdf_icon

MMBR5031LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR521LT1/D The RF Line PNP Silicon MMBR521LT1 High-Frequency Transistor MRF5211LT1 Designed primarily for use in the high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product IC = 70 mA fT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBC1654N6, MMBC1654N7, MMBR2060, MMBR2857, MMBR4957, MMBR4957LT1, MMBR4957LT3, MMBR5031, BC337, MMBR5179, MMBR5179LT1, MMBR521LT1, MMBR536, MMBR571LT1, MMBR901, MMBR901LT1, MMBR901LT3