Справочник транзисторов. MMBR521LT1

 

Биполярный транзистор MMBR521LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBR521LT1
   Маркировка: 7M
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.333 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBR521LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBR521LT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  motorola
 mmbr521lt1 mrf5211lt1.pdf pdf_icon

MMBR521LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR521LT1/DThe RF LinePNP SiliconMMBR521LT1High-Frequency TransistorMRF5211LT1Designed primarily for use in the highgain, lownoise smallsignalamplifiers for operation up to 3.5 GHz. Also usable in applications requiring fastswitching times. High Current GainBandwidth Product IC = 70 mAfT

 9.1. Size:55K  motorola
 mmbr5179.pdf pdf_icon

MMBR521LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR5179LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR5179LT1High-Frequency TransistorDesigned for smallsignal amplification at frequencies to 500 MHz.Specifically packaged for use in thick and thinfilm circuits using surface mountcomponents. High Gain Gpe = 15 dB Typ @ f = 200 MHz Low Noise NF = 4.5 dB Typ @

 9.2. Size:358K  motorola
 mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf pdf_icon

MMBR521LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR571LT1/DThe RF LineMMBR571LT1NPN SiliconMPS571 MRF571High-Frequency TransistorsMRF5711LT1Designed for low noise, wide dynamic range frontend amplifiers andlownoise VCOs. Available in a surfacemountable plastic package, as well asthe popular TO226AA (TO92) package. This Motorola series of smal

 9.3. Size:54K  motorola
 mmbr5031.pdf pdf_icon

MMBR521LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR5031LT1/DThe RF LineNPN SiliconMMBR5031LT1High-Frequency TransistorDesigned for thick and thinfilm circuits using surface mount componentsand requiring lownoise, highgain signal amplification at frequencies to 1.0GHz. High Gain Gpe = 17 dB Typ @ f = 450 MHz Low Noise NF = 2.5 dB Typ @ f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBR2857 , MMBR4957 , MMBR4957LT1 , MMBR4957LT3 , MMBR5031 , MMBR5031LT1 , MMBR5179 , MMBR5179LT1 , 2SA1943 , MMBR536 , MMBR571LT1 , MMBR901 , MMBR901LT1 , MMBR901LT3 , MMBR911LT1 , MMBR920 , MMBR920LT1 .

 

 
Back to Top

 


 
.