MMBT3639 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMBT3639
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 6 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для MMBT3639
MMBT3639 - технические параметры
mmbt3640.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT3640LT1/D Switching Transistor MMBT3640LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 Motorola Preferred Device 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 12 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 12 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage V
mmbt3646.pdf
MMBT3646 Switching Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCES Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 IC Collector Current (DC) - Continuous 300 mA PD Total Device Dissipation @ TA=25 C 625
pn3640 mmbt3640.pdf
PN3640 MMBT3640 C E TO-92 C B B SOT-23 E Mark 2J PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VCBO Collector-Base Voltage
Другие транзисторы... MMBT3564 , MMBT3565 , MMBT3566 , MMBT3567 , MMBT3568 , MMBT3569 , MMBT3638 , MMBT3638A , D667 , MMBT3640 , MMBT3640LT1 , MMBT3641 , MMBT3642 , MMBT3643 , MMBT3644 , MMBT3645 , MMBT3646 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44




