MMBT3904LT1 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMBT3904LT1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBT3904LT1
MMBT3904LT1 - технические параметры
mmbt3904lt1.pdf
MMBT3904LT1 NPN SWITCHING TRANSISTOR 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES A Epitaxial planar die construction. SOT-23 E Complementary PNP type available Dim Min Max A 2.70 3.10 K B (MMBT3906). B 1.10 1.50 C 1.0 Typical Collector Current Capability ICM =200mA. D 0.4 Typical J D E 0.35 0.48 Collector-emitter Voltage VCEO=40V. G G 1.80 2.00 H 0.02 0.1 H
mmbt3904lt1.pdf
FM120-M WILLAS MMBT3904LT1 THRU General Purpose Transistor FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. RoHS product for packing code suffix "G", SOD-123H Low profile surfa
mmbt3904lt1.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT3904LT1 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation 2. 4 PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM 0.2 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Ts
mmbt3904lt1rev1d.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT3904LT1/D General Purpose Transistor MMBT3904LT1 NPN Silicon COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter Base Voltage VE
Другие транзисторы... MMBT3692 , MMBT3693 , MMBT3694 , MMBT3742 , MMBT3743 , MMBT3903 , MMBT3903R , MMBT3904 , BC337 , MMBT3904R , MMBT3905 , MMBT3905R , MMBT3906 , MMBT3906LT1 , MMBT3906R , MMBT3962 , MMBT404 .
History: 2SC3392DY | MMBT404A | NA02HJ | MMBT404
History: 2SC3392DY | MMBT404A | NA02HJ | MMBT404
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor







