MMBT5401LT1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401LT1  📄📄 

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5401LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401LT1 даташит

 ..1. Size:325K  willas
 mmbt5401lt1.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1

FM120-M WILLAS MMBT5401LT1 THRU High Voltage Transistor FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H FEATURE Low profile surface mounted application in order to o

 ..2. Size:910K  shenzhen
 mmbt5401lt1.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 MMBT5401LT1 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR - Power dissipation 2. 4 PCM 0.3 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM -0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO -160 V Operating and storage junction temperature range Unit mm

 0.1. Size:125K  onsemi
 mmbt5401lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant* COLLECTOR MAXIMUM RAT

 0.2. Size:112K  onsemi
 mmbt5401lt1g smmbt5401lt1g mmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

MMBT5401LT1

MMBT5401LT1G, SMMBT5401LT1G, MMBT5401LT3G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) CASE 318 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 6 Compliant COLLECTOR MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5141, MMBT5142, MMBT5143, MMBT5172, MMBT5179, MMBT5400, MMBT5400R, MMBT5401, 2SC2383, MMBT5401R, MMBT5447, MMBT5449, MMBT5550, MMBT5550LT1, MMBT5550R, MMBT5551, 2SB1386GP