Справочник транзисторов. MMBT5816

 

Биполярный транзистор MMBT5816 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT5816
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO236
 

 Аналог (замена) для MMBT5816

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5816 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:144K  onsemi
nsvmmbt589lt1g.pdfpdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G,NSVMMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for Loadhttp://onsemi.comManagement in Portable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSPNP TRANSISTORSFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change RequirementsSOT-23 (TO-236) These Devices are P

 8.2. Size:164K  onsemi
mmbt589lt1g nsvmmbt589lt1g.pdfpdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G,NSVMMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for Loadwww.onsemi.comManagement in Portable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSPNP TRANSISTORSFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BF

 8.3. Size:144K  onsemi
mmbt589lt1g.pdfpdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G,NSVMMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for Loadhttp://onsemi.comManagement in Portable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSPNP TRANSISTORSFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change RequirementsSOT-23 (TO-236) These Devices are P

 8.4. Size:133K  onsemi
mmbt589lt1.pdfpdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for LoadManagement in http://onsemi.comPortable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSFeaturesPNP TRANSISTORS These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)1Rating Symbol Value UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -30 VdcCollector-

Другие транзисторы... MMBT5550 , MMBT5550LT1 , MMBT5550R , MMBT5551 , 2SB1386GP , MMBT5551LT1 , MMBT5551R , MMBT5771 , MPSA42 , MMBT5855 , MMBT5856 , MMBT5857 , MMBT5858 , MMBT5910 , MMBT6076 , MMBT6427 , MMBT6427LT1 .

History: BD746E

 

 
Back to Top

 


 
.