MMBT5816. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT5816

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для MMBT5816

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5816 даташит

 8.1. Size:144K  onsemi
 nsvmmbt589lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load http //onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) These Devices are P

 8.2. Size:164K  onsemi
 mmbt589lt1g nsvmmbt589lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load www.onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BF

 8.3. Size:144K  onsemi
 mmbt589lt1g.pdf pdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load http //onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) These Devices are P

 8.4. Size:133K  onsemi
 mmbt589lt1.pdf pdf_icon

MMBT5816

MMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in http //onsemi.com Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS Features PNP TRANSISTORS These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -30 Vdc Collector-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5550, MMBT5550LT1, MMBT5550R, MMBT5551, 2SB1386GP, MMBT5551LT1, MMBT5551R, MMBT5771, TIP120, MMBT5855, MMBT5856, MMBT5857, MMBT5858, MMBT5910, MMBT6076, MMBT6427, MMBT6427LT1