MMBT5855. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBT5855
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для MMBT5855
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBT5855 даташит
nsvmmbt589lt1g.pdf
MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load http //onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) These Devices are P
mmbt589lt1g nsvmmbt589lt1g.pdf
MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load www.onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BF
mmbt589lt1g.pdf
MMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load http //onsemi.com Management in Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS PNP TRANSISTORS Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 (TO-236) These Devices are P
mmbt589lt1.pdf
MMBT589LT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in http //onsemi.com Portable Applications 30 VOLTS, 2.0 AMPS Features PNP TRANSISTORS These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 1 Rating Symbol Value Unit BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -30 Vdc Collector-
Другие транзисторы: MMBT5550LT1, MMBT5550R, MMBT5551, 2SB1386GP, MMBT5551LT1, MMBT5551R, MMBT5771, MMBT5816, B647, MMBT5856, MMBT5857, MMBT5858, MMBT5910, MMBT6076, MMBT6427, MMBT6427LT1, MMBT6428
History: 2SB1386GP | 2SC918 | NSVMMUN2113LT3G | MMBT5816 | 2SC273
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003








