Биполярный транзистор MMBT6428 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBT6428
Маркировка: 1K_1KM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для MMBT6428
MMBT6428 Datasheet (PDF)
mmbt6428 mmbt6429.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6428LT1/DAmplifier TransistorsMMBT6428LT1COLLECTORNPN SiliconMMBT6429LT131BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 50 45 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 60 55 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage VEBO
mmbt6428.pdf

MMBT6428NPN General Purpose Amplifier3 This device designed for general pupose amplifier applications at collector currents to 300mA Sourced from process 10.2SOT-231Mark: 1K1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VIC C
mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol 6428LT1 6429LT1 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc3SOT-23 (TO-236)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCA
mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconwww.onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIMUM
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: CHT4126SGP | 2SC4237 | CHDTC323TUGP | 2SC4215 | SZD965 | TA1881
History: CHT4126SGP | 2SC4237 | CHDTC323TUGP | 2SC4215 | SZD965 | TA1881



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880