MMBT6428 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT6428  📄📄 

Маркировка: 1K_1KM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT6428

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6428 даташит

 ..1. Size:300K  motorola
 mmbt6428 mmbt6429.pdf pdf_icon

MMBT6428

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT6428LT1/D Amplifier Transistors MMBT6428LT1 COLLECTOR NPN Silicon MMBT6429LT1 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 60 55 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO

 ..2. Size:46K  fairchild semi
 mmbt6428.pdf pdf_icon

MMBT6428

MMBT6428 NPN General Purpose Amplifier 3 This device designed for general pupose amplifier applications at collector currents to 300mA Sourced from process 10. 2 SOT-23 1 Mark 1K 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V IC C

 0.1. Size:194K  onsemi
 mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf pdf_icon

MMBT6428

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 0.2. Size:82K  onsemi
 mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6428

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon www.onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5855, MMBT5856, MMBT5857, MMBT5858, MMBT5910, MMBT6076, MMBT6427, MMBT6427LT1, TIP41C, MMBT6429, MMBT6517, MMBT6520, MMBT6543, MMBT8598, MMBT8599, MMBT918, MMBT918R