Справочник транзисторов. MMBT6428

 

Биполярный транзистор MMBT6428 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT6428
   Маркировка: 1K_1KM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBT6428

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT6428 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  motorola
mmbt6428 mmbt6429.pdfpdf_icon

MMBT6428

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT6428LT1/DAmplifier TransistorsMMBT6428LT1COLLECTORNPN SiliconMMBT6429LT131BASE23EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 50 45 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 60 55 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage VEBO

 ..2. Size:46K  fairchild semi
mmbt6428.pdfpdf_icon

MMBT6428

MMBT6428NPN General Purpose Amplifier3 This device designed for general pupose amplifier applications at collector currents to 300mA Sourced from process 10.2SOT-231Mark: 1K1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VIC C

 0.1. Size:194K  onsemi
mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdfpdf_icon

MMBT6428

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS 2EMITTERRating Symbol 6428LT1 6429LT1 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 45 VdcCollector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc3SOT-23 (TO-236)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCA

 0.2. Size:82K  onsemi
mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdfpdf_icon

MMBT6428

MMBT6428LT1G,MMBT6429LT1G,NSVMMBT6429LT1GAmplifier TransistorsNPN Siliconwww.onsemi.comFeaturesCOLLECTOR3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant2EMITTER3SOT-23 (TO-236)MAXIMUM

Другие транзисторы... MMBT5855 , MMBT5856 , MMBT5857 , MMBT5858 , MMBT5910 , MMBT6076 , MMBT6427 , MMBT6427LT1 , C945 , MMBT6429 , MMBT6517 , MMBT6520 , MMBT6543 , MMBT8598 , MMBT8599 , MMBT918 , MMBT918R .

 

 
Back to Top

 


 
.