MMBT6429 - описание и поиск аналогов

 

MMBT6429 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT6429
   Маркировка: 1L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT6429

 

MMBT6429 - технические параметры

 ..1. Size:300K  motorola
 mmbt6428 mmbt6429.pdf pdf_icon

MMBT6429

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT6428LT1/D Amplifier Transistors MMBT6428LT1 COLLECTOR NPN Silicon MMBT6429LT1 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 60 55 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO

 0.1. Size:125K  onsemi
 mmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6429

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIM

 0.2. Size:194K  onsemi
 mmbt6428lt1 mmbt6429lt1.pdf pdf_icon

MMBT6429

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 60 55 Vdc 3 SOT-23 (TO-236) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc CA

 0.3. Size:82K  onsemi
 mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

MMBT6429

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon www.onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MMBT5856 , MMBT5857 , MMBT5858 , MMBT5910 , MMBT6076 , MMBT6427 , MMBT6427LT1 , MMBT6428 , BD139 , MMBT6517 , MMBT6520 , MMBT6543 , MMBT8598 , MMBT8599 , MMBT918 , MMBT918R , MMBT930 .

 

 
Back to Top

 


 
.