Справочник транзисторов. MMBTA13LT1

 

Биполярный транзистор MMBTA13LT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA13LT1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBTA13LT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA13LT1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:791K  onsemi
mmbta13lt1g mmbta14lt1g.pdfpdf_icon

MMBTA13LT1

MMBTA13L, SMMBTA13L,MMBTA14L, SMMBTA14LDarlington AmplifierTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23 (TO-236)Compliant* CASE 318STYLE 6COLLECTOR 3MAXIM

 7.1. Size:235K  motorola
mmbta13 mmbta14.pdfpdf_icon

MMBTA13LT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA13LT1/DMMBTA13LT1Darlington Amplifier TransistorsMMBTA14LT1*NPN SiliconCOLLECTOR 3*Motorola Preferred DeviceBASE13EMITTER 21MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCES 30 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitte

 7.2. Size:48K  fairchild semi
mmbta13.pdfpdf_icon

MMBTA13LT1

January 2005MMBTA13NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high Current gain at collector Currents to 1.0A. Sourced from process 05. See MPSA14 for characteristics.32SOT-231Mark: 1M1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-

 7.3. Size:8K  utc
mmbta13.pdfpdf_icon

MMBTA13LT1

UTC MMBTA13 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDARLINGTON TRANSISTORDESCRIPTIONThe UTC MMBTA13 is a darlington transistor.FEATURES1*Collector-Emitter Voltage: Vces = 30V*Collector Dissipation : Pc ( mas ) = 625 mWSOT-231:EMITTER 2:BASE 3:COLLECTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Operating temperature range applies unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL VALUE UNITCollector-B

Другие транзисторы... MMBT930 , MMBT930R , MMBTA05 , MMBTA05LT1 , MMBTA06 , MMBTA06LT1 , MMBTA12 , MMBTA13 , 2N3906 , MMBTA14 , MMBTA14LT1 , MMBTA20 , MMBTA20LT1 , MMBTA28 , MMBTA42 , MMBTA42LT1 , MMBTA43 .

History: 2SC94

 

 
Back to Top

 


 
.