MMBTA20LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTA20LT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTA20LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA20LT1 даташит

 ..1. Size:107K  onsemi
 mmbta20lt1.pdf pdf_icon

MMBTA20LT1

MMBTA20LT1 General Purpose Amplifier NPN Silicon Features Pb-Free Package is Available http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 1 BASE Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 100 mAdc 2 THERMAL CHARACTERISTICS EMITTER Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR-5

 6.1. Size:413K  motorola
 mmbta20l.pdf pdf_icon

MMBTA20LT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA20LT1/D General Purpose Amplifier MMBTA20LT1 NPN Silicon COLLECTOR 3 1 3 BASE 1 2 2 EMITTER CASE 318 08, STYLE 6 MAXIMUM RATINGS SOT 23 (TO 236AB) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc Collector Current Continuous IC 100 mAdc THERMAL C

 8.1. Size:870K  fairchild semi
 mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA20LT1

MPSA28 MMBTA28 PZTA28 C C E E C B TO-92 C B SuperSOT-3 B SOT-223 E Mark 3SS NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Colle

 8.2. Size:628K  fairchild semi
 mpsa28 mmbta28 pzta28.pdf pdf_icon

MMBTA20LT1

MPSA28 MMBTA28 PZTA28 C C E E C B TO-92 C B SuperSOT-3 B SOT-223 E Mark 3SS NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Colle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTA06, MMBTA06LT1, MMBTA12, MMBTA13, MMBTA13LT1, MMBTA14, MMBTA14LT1, MMBTA20, BC557, MMBTA28, MMBTA42, MMBTA42LT1, MMBTA43, MMBTA43LT1, MMBTA55, MMBTA55LT1, MMBTA56