Справочник транзисторов. MMBTA28

 

Биполярный транзистор MMBTA28 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA28
   Маркировка: 3SS_K6R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA28 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  fairchild semi
 mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle

 ..2. Size:628K  fairchild semi
 mpsa28 mmbta28 pzta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle

 ..3. Size:356K  htsemi
 mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MMBTA28TRANSISTOR(NPN)FEATURES SOT23 High Current Gain MARKING: 3SS MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 80 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 80 V CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 12 V EBOIC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW R Thermal

 0.1. Size:645K  jiangsu
 ad-mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1372 | TIP539 | 2SD1491 | GES5136 | 15GN03MA-TL-E | 2SD1380 | 2SD1374

 

 
Back to Top

 


 
.