Биполярный транзистор MMBTA28 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBTA28
Маркировка: 3SS_K6R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: SOT23
MMBTA28 Datasheet (PDF)
mmbta28.pdf
MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle
mpsa28 mmbta28 pzta28.pdf
MPSA28 MMBTA28 PZTA28CCEECBTO-92CBSuperSOT-3BSOT-223EMark: 3SSNPN Darlington TransistorThis device is designed for applications requiring extremelyhigh current gain at collector currents to 500 mA. Sourcedfrom Process 03.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Colle
mmbta28.pdf
MMBTA28TRANSISTOR(NPN)FEATURES SOT23 High Current Gain MARKING: 3SS MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 80 V CBO2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 80 V CEO3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 12 V EBOIC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW R Thermal
ad-mmbta28.pdf
www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherw
mmbta20l.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA20LT1/DGeneral Purpose AmplifierMMBTA20LT1NPN SiliconCOLLECTOR313BASE122EMITTERCASE 31808, STYLE 6MAXIMUM RATINGSSOT23 (TO236AB)Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current Continuous IC 100 mAdcTHERMAL C
mmbta20lt1.pdf
MMBTA20LT1General Purpose AmplifierNPN SiliconFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc1BASEEmitter-Base Voltage VEBO 4.0 VdcCollector Current - Continuous IC 100 mAdc2THERMAL CHARACTERISTICSEMITTERCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Dissipation FR-5
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050