MMBTA28. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTA28

Маркировка: 3SS_K6R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTA28

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA28 даташит

 ..1. Size:870K  fairchild semi
 mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MPSA28 MMBTA28 PZTA28 C C E E C B TO-92 C B SuperSOT-3 B SOT-223 E Mark 3SS NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Colle

 ..2. Size:628K  fairchild semi
 mpsa28 mmbta28 pzta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MPSA28 MMBTA28 PZTA28 C C E E C B TO-92 C B SuperSOT-3 B SOT-223 E Mark 3SS NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Colle

 ..3. Size:356K  htsemi
 mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

MMBTA28 TRANSISTOR(NPN) FEATURES SOT 23 High Current Gain MARKING 3SS MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 80 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 80 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 12 V EBO IC Collector Current 500 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW R Thermal

 0.1. Size:645K  jiangsu
 ad-mmbta28.pdf pdf_icon

MMBTA28

www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTA06LT1, MMBTA12, MMBTA13, MMBTA13LT1, MMBTA14, MMBTA14LT1, MMBTA20, MMBTA20LT1, TIP42C, MMBTA42, MMBTA42LT1, MMBTA43, MMBTA43LT1, MMBTA55, MMBTA55LT1, MMBTA56, MMBTA56LT1