MMBTA55LT1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MMBTA55LT1
Маркировка: 2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBTA55LT1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBTA55LT1 даташит
mmbta55lt1 mmbta56lt1.pdf
MMBTA55LT1G, MMBTA56LT1G Driver Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO Vdc MMBTA55 -60 3 MMBTA56 -80 Collector-Base Voltage VCBO Vdc MMBTA55 -60 1 MMBTA56 -80 2 Emitter-Base Voltage VE
mmbta55lt1g.pdf
MMBTA55L Series, MMBTA56L Series, SMMBTA56L Series Driver Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements SOT-23 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CASE 318 STYLE 6 Compliant* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATING
mmbta55lt1g.pdf
SEMICONDUCTOR MMBTA55/56 TECHNICAL DATA Driver Transistors PNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 2 1 MAXIMUM RATINGS Value SOT 23 Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit Collector Emitter Voltage V CEO 60 80 Vdc 3 Collector Base Voltage V 60 80 Vdc CBO COLLECTOR Emitter Base Voltage V 4.0 Vdc EBO 1 Colle
mmbta55l mmbta56.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA55LT1/D Driver Transistors MMBTA55LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 MMBTA56LT1* *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit 1 Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc 2 Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc
Другие транзисторы: MMBTA20, MMBTA20LT1, MMBTA28, MMBTA42, MMBTA42LT1, MMBTA43, MMBTA43LT1, MMBTA55, 2SD718, MMBTA56, MMBTA56LT1, MMBTA63, MMBTA63LT1, MMBTA64, MMBTA64LT1, MMBTA70, MMBTA70LT1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout





