Биполярный транзистор MMBTA55LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBTA55LT1
Маркировка: 2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBTA55LT1
MMBTA55LT1 Datasheet (PDF)
mmbta55lt1 mmbta56lt1.pdf
MMBTA55LT1G,MMBTA56LT1GDriver TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31BASEMAXIMUM RATINGS2EMITTERRating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO VdcMMBTA55 -603MMBTA56 -80Collector-Base Voltage VCBO VdcMMBTA55 -60 1MMBTA56 -802Emitter-Base Voltage VE
mmbta55lt1g.pdf
MMBTA55L Series,MMBTA56L Series,SMMBTA56L SeriesDriver TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change RequirementsSOT-23 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS CASE 318STYLE 6Compliant*COLLECTOR3MAXIMUM RATING
mmbta55lt1g.pdf
SEMICONDUCTORMMBTA55/56TECHNICAL DATADriver TransistorsPNP SiliconWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.321MAXIMUM RATINGSValueSOT23Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 Vdc3CollectorBase Voltage V 60 80 VdcCBOCOLLECTOREmitterBase Voltage V 4.0 VdcEBO1Colle
mmbta55l mmbta56.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA55LT1/DDriver TransistorsMMBTA55LT1COLLECTORPNP Silicon3MMBTA56LT1**Motorola Preferred Device1BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit1CollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 Vdc2CollectorBase Voltage VCBO 60 80 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 Vdc
mmbta55l mmbta56l.pdf
MMBTA55L Series,MMBTA56L Series,SMMBTA56L SeriesDriver TransistorsPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableSOT-23 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCASE 318STYLE 6CompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRat
mmbta55l mmbta56l smmbta56l.pdf
MMBTA55L Series,MMBTA56L Series,SMMBTA56L SeriesDriver TransistorsPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP CapableSOT-23 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCASE 318STYLE 6CompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050