Биполярный транзистор MMBTA92LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBTA92LT1
Маркировка: 2D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBTA92LT1
MMBTA92LT1 Datasheet (PDF)
mmbta92lt1 mmbta93lt1.pdf
MMBTA92LT1G,MMBTA93LT1GHigh Voltage TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol 92 93 UnitBASECollector-Emitter Voltage VCEO -300 -200 VdcCollector-Base Voltage VCBO -300 -200 Vdc2EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 -5.0 VdcCollector Curren
mmbta92lt1.pdf
FM120-M WILLASTHRUMMBTA9xLT1FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VHigh Voltage TransistorSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize board
mmbta92lt1g.pdf
MMBTA92L, SMMBTA92L,MMBTA93LHigh Voltage TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueCOLLECTORSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and3PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol 92 93 UnitEMITT
mmbta92l mmbta93.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA92LT1/DHigh Voltage Transistors*MMBTA92LT1COLLECTORPNP Silicon3MMBTA93LT1*Motorola Preferred Device1BASE2EMITTER3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol MMBTA92 MMBTA93 Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 300 200 VdcCollectorBase Voltage VCBO 300 200 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT
mmbta92l smmbta92l mmbta93l.pdf
MMBTA92L, SMMBTA92L,MMBTA93LHigh Voltage TransistorsPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueCOLLECTORSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and3PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol 92 93 UnitEMITTER
mmbta92l mmbta92h mmbta92j.pdf
MMBTA92TRANSI STOR (PNP)MARKING: Equivalent Circuit:SOT-231.BASE2.EMITTER3.COLLECTORFEATURES: High Breakdown VoltageMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector-Base Voltage VCBO -300 VCollector-Emitter Voltage VCEO -300 VEmitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current -Continuous IC -200 mACollector Current -Puised ICM -
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
