Биполярный транзистор MN26 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MN26
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MN26 Datasheet (PDF)
dmn26d0udj.pdf

DMN26D0UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low On-Resistance: 3.0 @ VGS= 4.5V 240mA 3.0@ 4.5V 20V 180mA 6.0 @ VGS= 1.8V 4.0@ 2.5V 6.0@1.8V 10@1.5V Description Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max This new
dmn2600ufb.pdf

DMN2600UFB25V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN1006-3 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Ultra-Small Surface Mount Package Terminals:
dmn26d0ut.pdf

DMN26D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-523 3.0 @ 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 4.0 @ 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 6.0 @ 1.8V
dmn26d0ufb4.pdf

DMN26D0UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: DFN1006H4-3 Low On-Resistance: Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0 @ 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 4.0 @ 2.5V Terminal Connections: See Diag
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 9018M | TBC857 | STD01P | GSTU10040 | BUX77ASMD | 2N1614
History: 9018M | TBC857 | STD01P | GSTU10040 | BUX77ASMD | 2N1614



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors