MP11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MP11

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

 Аналоги (замена) для MP11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP11 даташит

 ..1. Size:796K  russia
 mp9a mp10 mp10a mp10b mp11 mp11a.pdf pdf_icon

MP11

 0.1. Size:452K  diodes
 dmp1100ucb4.pdf pdf_icon

MP11

 0.2. Size:562K  fuji
 fmp11n60e.pdf pdf_icon

MP11

FMP11N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

 0.3. Size:623K  fuji
 fmp11n70e.pdf pdf_icon

MP11

FMP11N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220AB Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MP101B, MP102, MP103, MP103A, MP104, MP1077, MP10A, MP10B, 2SC945, MP110, MP110B, 2SB1366F-Y, MP110BB, MP110BG, MP110BR, MP110G, MP110O