Справочник транзисторов. MP110G

 

Биполярный транзистор MP110G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MP110G
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.16 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 145
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MP110G

 

 

MP110G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:452K  diodes
dmp1100ucb4.pdf

MP110G
MP110G

DMP1100UCB4 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary (Typ @VGS = -4.5V, TA = +25C) Features and Benefits Built-in G-S Protection Diode against ESD 2kV HBM BVDSS RDS(ON) Qg Qgd ID Ultra Small 0.8mm x 0.8mm Package -12V 65m 9nC 2.4nC -3.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top