Биполярный транзистор 2N1115 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1115
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.125 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: R32
2N1115 Datasheet (PDF)
9.1. Size:286K fairchild semi
fdfm2n111.pdf
fdfm2n111.pdf
August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack
Другие транзисторы... 2N1108 , 2N1109 , 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , 2N1114 , TIP122 , 2N1115A , 2N1116 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A , 2N112 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050