Биполярный транзистор MP2300A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MP2300A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO3
MP2300A Datasheet (PDF)
ymp230n55.pdf
http://www.ymicpower.comYMP230N55 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary General Description The YMP230N55 uses advanced trench technology and BVDSS typ. 55 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. RDS(ON) typ. 2 m This device is suitable for use in PWM, load switching and max. 3 m general purpose applications. ID 230 A Fea
dmp2305uvt.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP2305UVT20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance Max IDMax RDS(on) V(BR)DSS Low On-Resistance(Note 6) TA = 25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = -4.5V -4.23A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) -20V 90m @ VGS = -2.5V -3.49A Halogen and Ant
dmp2305u.pdf
DMP2305UP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 60m @ VGS = -4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 90m @ VGS = -2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 11
mmp2301.pdf
MMP2301Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= -20VRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A = 100mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 150mRDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-2.0A = 170mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceSOT- 23 Internal Schematic DiagramTop View P-Channel MOSFETM
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050