MP4356 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP4356  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO236

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MP4356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP4356 даташит

 9.1. Size:241K  m-mos
 mmp4357.pdf pdf_icon

MP4356

MMP4357 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A =75m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A =105m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance SOP-08 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characteris

 9.2. Size:230K  m-mos
 mmp4353.pdf pdf_icon

MP4356

MMP4353 Package Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.0 = 75m RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 119m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance S0-8 Internal Schematic Diagram Top View P-Channel MOSFET Maximum Ratings and Thermal Characterist

Другие транзисторы: MP4280, MP4281, MP4282, MP4283, MP42A, MP42B, MP4354, MP4355, 2SD2499, MP4401, MP4403, MP4888, MP4889, MP4890, MP4916, MP4917, MP4964