2N1116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1116

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1116

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1116 даташит

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1116

August 2005 FDFM2N111 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description Applications FDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck Converter Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a Features MicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы: 2N111, 2N1110, 2N1111, 2N1111A, 2N1111B, 2N1114, 2N1115, 2N1115A, 2SA1943, 2N1117, 2N1118, 2N1118A, 2N1119, 2N111A, 2N112, 2N1120, 2N1121