Справочник транзисторов. 2N1116

 

Биполярный транзистор 2N1116 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1116
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1116 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:286K  fairchild semi
 fdfm2n111.pdf pdf_icon

2N1116

August 2005FDFM2N111Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode General Description ApplicationsFDFM2N111 combines the exceptional performance of Standard Buck ConverterFairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a FeaturesMicroFET package. This device is designed specifically as a single pack

Другие транзисторы... 2N111 , 2N1110 , 2N1111 , 2N1111A , 2N1111B , 2N1114 , 2N1115 , 2N1115A , A1941 , 2N1117 , 2N1118 , 2N1118A , 2N1119 , 2N111A , 2N112 , 2N1120 , 2N1121 .

History: 2SA495O | DTC123JEB | 2SC765 | NKT108 | KRC663U | 2SB443A | 2N5862

 

 
Back to Top

 


 
.