MP602 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP602  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MP602

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP602 даташит

 0.1. Size:351K  diodes
 dmp6023le.pdf pdf_icon

MP602

DMP6023LE Green 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Fast Switching Speed TA = +25 C 28m @ VGS = -10V -7A Low Threshold -60V 35m @ VGS = -4.5V -6.2A Low Gate Drive Low Input Capacitance Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimo

 0.2. Size:356K  diodes
 dmp6023lss.pdf pdf_icon

MP602

DMP6023LSS 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed Low Threshold 25m @ VGS = -10V -6.6A Low Gate Drive -60V 33m @ VGS = -4.5V -5.8A Low Input Capacitance Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen

 0.3. Size:468K  diodes
 dmp6023lfg.pdf pdf_icon

MP602

DMP6023LFG 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Small form factor thermally efficient package enables higher TA = +25 C 25m @ VGS = -10V -7.7A density end products -60V -6.8A 33m @ VGS = -4.5V Occupies just 33% of the board

Другие транзисторы: MP5856, MP5857, MP5858, MP5910, MP600, MP600A, MP601, MP601A, 2SD718, MP602A, MP603, MP603A, MP6076, MP800, MP801, MP8111, MP8112