MPS5132 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MPS5132 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MPS5132 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MPS5132

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MPS5132 даташит

9.1. Size:96K motorola
mps5179r.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPS5179/D High Frequency Transistor NPN Silicon MPS5179 Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol Value Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 12 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 20 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 2.5 Vdc

9.2. Size:992K fairchild semi
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf pdf_icon

MPS5179 MMBT5179 PN5179 C E C TO-92 C TO-92 B B E SOT-23 E B Mark 3C NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 A to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless o

9.3. Size:30K samsung
mps5172.pdf pdf_icon