Справочник транзисторов. MPS5135

 

Биполярный транзистор MPS5135 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MPS5135
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPS5135

 

 

MPS5135 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:96K  motorola
mps5179r.pdf

MPS5135
MPS5135

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPS5179/DHigh Frequency TransistorNPN SiliconMPS5179Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 12 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcEmitterBase Voltage VEBO 2.5 Vdc

 9.2. Size:992K  fairchild semi
pn5179 mps5179 mmbt5179.pdf

MPS5135
MPS5135

MPS5179 MMBT5179 PN5179CEC TO-92 C TO-92B B ESOT-23E BMark: 3CNPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifierswith collector currents in the 100 A to 30 mA range in commonemitter or common base mode of operation, and in low frequencydrift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless o

 9.3. Size:30K  samsung
mps5172.pdf

MPS5135

 9.4. Size:70K  central
2n5172 2n6076 mps5172 mps6076.pdf

MPS5135

TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

 9.5. Size:135K  diodes
mps5179.pdf

MPS5135
MPS5135

NPN SILICON PLANARMPS5179HIGH FREQUENCY TRANSISTORI T I I T IT I I TI D T T T ID D I T T TI I I E-Line T T TO92 Compatible I T T I T I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i i T T T i I iI I ed, applieds orpply ofMPS5179ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless ot

 9.6. Size:42K  onsemi
mps5179-d.pdf

MPS5135
MPS5135

MPS5179Preferred DeviceHigh Frequency TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector -Emitter Voltage VCEO 12 Vdc2BASECollector -Base Voltage VCBO 20 VdcEmitter -Base Voltage VEBO 2.5 Vdc1Collector Current - Continuous IC 50 mAdcEMITTERTotal Device Dissipation @ TA

 9.7. Size:244K  cdil
mps5172.pdf

MPS5135
MPS5135

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR AMPLIFIER TRANSISTOR MPS5172TO-92Plastic PackageCBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 VVCBOCollector Base Voltage 25 VVEBOEmitter Base Voltage 5 VICCollector Current

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top