MPS901. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MPS901
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для MPS901
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MPS901 даташит
mmbr901lt1 mps901 mrf901 mrf9011lt1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR901LT1/D The RF Line MMBR901LT1, T3 NPN Silicon MPS901 MRF901 High-Frequency Transistor MRF9011LT1 Designed primarily for use in high gain, low noise small signal amplifiers for operation up to 2.5 GHz. Also usable in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product IC
Другие транзисторы: MPS8093, MPS8097, MPS8098, MPS8099, MPS834, MPS835, MPS8598, MPS8599, TIP42C, MPS911, MPS918, MPS918R, MPS929, MPS929A, MPS930, MPS930A, MPS930R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550

