MPSD55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSD55

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPSD55

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSD55 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: MPSD01, MPSD02, MPSD03, MPSD04, MPSD05, MPSD51, MPSD52, MPSD54, BC549, MPSD56, MPSDO6, MPSH02, MPSH04, MPSH05, MPSH07, MPSH08, MPSH10