Справочник транзисторов. MPSH17

 

Биполярный транзистор MPSH17 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MPSH17
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для MPSH17

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSH17 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:76K  motorola
mpsh17re.pdfpdf_icon

MPSH17

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSH17/DCATV TransistorNPN SiliconMPSH17COLLECTOR3Motorola Preferred Device1BASE2EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 2CollectorEmitter Voltage VCEO 15 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 20 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcTotal Devi

 0.2. Size:42K  onsemi
mpsh17-d.pdfpdf_icon

MPSH17

MPSH17Preferred Device CATV TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Package is Available*http://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit1BASECollector -Emitter Voltage VCEO 15 VdcCollector -Base Voltage VCBO 20 Vdc2Emitter -Base Voltage VEBO 3.0 VdcEMITTERTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate above 25C 2.81 mW/CMARK

 9.1. Size:78K  motorola
mpsh10 mpsh11.pdfpdf_icon

MPSH17

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MPSH10/DVHF/UHF TransistorsMPSH10NPN SiliconMPSH11COLLECTOR3Motorola Preferred Devices1BASE2EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 2CollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 Vd

 9.2. Size:738K  fairchild semi
mmbth10 mpsh10.pdfpdf_icon

MPSH17

MPSH10 MMBTH10CEC TO-92EBBSOT-23Mark: 3ENPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,with collector currents in the 100 A to 20 mA range in commonemitter or common base mode of operations, and in low frequencydrift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedS

Другие транзисторы... MPSDO6 , MPSH02 , MPSH04 , MPSH05 , MPSH07 , MPSH08 , MPSH10 , MPSH11 , 13001-A , MPSH19 , MPSH20 , MPSH24 , MPSH30 , MPSH31 , MPSH32 , MPSH33 , MPSH34 .

History: MMUN2212LT1G | BC846DW | MPSH34

 

 
Back to Top

 


 
.