MPSH81. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSH81

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для MPSH81

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MPSH81 даташит

 ..1. Size:721K  fairchild semi
 mpsh81 mmbth81.pdf pdf_icon

MPSH81

MPSH81 MMBTH81 C E C TO-92 B E SOT-23 B Mark 3D PNP RF Transistor This device is designed for general RF amplifier and mixer applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range. Sourced from Process 75. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage

 ..2. Size:598K  onsemi
 mmbth81 mpsh81.pdf pdf_icon

MPSH81

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.1. Size:111K  motorola
 mpsh83.pdf pdf_icon

MPSH81

Другие транзисторы: MPSH30, MPSH31, MPSH32, MPSH33, MPSH34, MPSH37, MPSH54, MPSH55, BD333, MPSH83, MPSH85, MPSL01, MPSL01A, MPSL01B, MPSL07, MPSL08, MPSL51