MPSW51A - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MPSW51A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MPSW51A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92

Аналоги (замена) для MPSW51A

MPSW51A Datasheet (PDF)

0.1. Size:103K onsemi
mpsw51ag.pdf

MPSW51, MPSW51AOne Watt High CurrentTransistorsPNP SiliconFeatures http://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COLLECTOR32MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO Vdc1MPSW51 -30EMITTERMPSW51A -40Collector-Base Voltage VCBO VdcMPSW51 -40MPSW51A -50Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Curre

0.2. Size:103K onsemi
mpsw51arlrpg.pdf