2N4865 - описание и поиск аналогов

 

2N4865. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4865

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 90 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO114

 Аналоги (замена) для 2N4865

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4865 даташит

 9.1. Size:278K  motorola
 2n4856-59 2n4860-61.pdf pdf_icon

2N4865

 9.2. Size:82K  central
 2n4856a 2n4857a 2n4858a 2n4859a 2n4860a 2n4861a.pdf pdf_icon

2N4865

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:68K  central
 2n4863.pdf pdf_icon

2N4865

TM Central Semiconductor Corp. 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 www.centralsemi.com

 9.4. Size:63K  interfet
 2n4867-a 2n4868-a 2n4869-a.pdf pdf_icon

2N4865

Databook.fxp 1/14/99 12 00 PM Page B-17 01/99 B-17 2N4867, 2N4867A, 2N4868, 2N4868A, 2N4869, 2N4869A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor Absolute maximum ratings at TA = 25 C Audio Amplifiers Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage 40 V Gate Current 50 mA Continuous Device Power Dissipation 300mW Power Derating 1.7 mW/ C Storage Temperature Range 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N484 , 2N485 , 2N4854 , 2N4855 , 2N486 , 2N4862 , 2N4863 , 2N4864 , 2SD313 , 2N4866 , 2N487 , 2N4872 , 2N4873 , 2N4874 , 2N4875 , 2N4876 , 2N4877 .

History: 2SA1726

 

 

 


 
↑ Back to Top
.