MRA1000-14L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRA1000-14L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 14 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для MRA1000-14L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRA1000-14L даташит

 0.1. Size:51K  motorola
 mra1000-14lrev6d.pdf pdf_icon

MRA1000-14L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRA1000 14L/D The RF Line UHF Power Transistor MRA1000-14L . . . designed primarily for wideband, large signal output and driver amplifier stages to 1000 MHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics Output Power 14 Watts 8.0 dB, TO 1000 MHz Power Gain 8

 6.1. Size:50K  motorola
 mra1000-7lrev6d.pdf pdf_icon

MRA1000-14L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRA1000 7L/D The RF Line UHF Power Transistor MRA1000-7L . . . designed primarily for wideband, large signal output and driver amplifier stages to 1000 MHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics Output Power 7.0 Watts 9.0 dB, TO 1000 MHz Power Gain 9.

 6.2. Size:78K  motorola
 mra1000-3 5lrev1.pdf pdf_icon

MRA1000-14L

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRA1000 3.5L/D The RF Line UHF Power Transistor MRA1000-3.5L Designed primarily for wideband, large signal output and driver amplifier stages to 1000 MHz. Designed for Class A Linear Power Amplifiers Specified 19 Volt, 1000 MHz Characteristics Output Power 3.5 Watts 10 dB, 1000 MHz Power Gain 10 dB, S

Другие транзисторы: MQ5857, MQ5858, MQ5910, MQ6076, MQ918, MQ918R, MQ930, MQ930R, A1013, MRA1000-7, MRF2001, MRF2001B, MRF2005, MRF2005B, MRF2010, MRF2010B, MRF207