MRF215 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF215
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: TO128
Аналоги (замена) для MRF215
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF215 даташит
mrf21010.pdf
Document Number MRF21010 Freescale Semiconductor Rev. 9, 5/2006 Technical Data RF Power Field Effect Transistors MRF21010LR1 N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs MRF21010LSR1 Designed for W--CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular ra
mrf21045.pdf
Document Number MRF21045 Freescale Semiconductor Rev. 12, 10/2008 Technical Data RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for W--CDMA base station applications with frequencies from 2110 MRF21045LR3 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica- MRF21045LSR3 tions. To be used in Class AB for PCN -- PCS/cellular r
mrf21030.pdf
Document Number MRF21030 Freescale Semiconductor Rev. 12, 5/2006 Technical Data RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from MRF21030LR3 2000 to 2200 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier MRF21030LSR3 applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellula
Другие транзисторы: MRF2005, MRF2005B, MRF2010, MRF2010B, MRF207, MRF208, MRF209, MRF212, 2SD669A, MRF216, MRF221, MRF222, MRF223, MRF224, MRF225, MRF226, MRF227
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897



